JPY | USD
製品索引 > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

結果: 3
3 残り
フィルタオプション:
パッケージング
解除
表示フィルタ数を増やす
表示フィルタ数を減らす
検索結果を次の項目別に並べ替え:
次の数量での価格を閲覧:
  • 在庫状況
  • 利用可能なメディア
  • 環境規制対応状況
3 残り

R6002END3TL1
1ページあたりの検索結果表示件数
ページ 1/1
部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
R6002END3TL1 Datasheet R6002END3TL1 - Rohm Semiconductor R6002END3TL1TR-ND R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥45.44040 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 1.7A(Tc) 10V 3.4オーム @ 500mA、10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V ±20V 65pF @ 25V
-
26W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
R6002END3TL1 Datasheet R6002END3TL1 - Rohm Semiconductor R6002END3TL1CT-ND R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET 2,400 - 即時 有り: 2,400 ¥105.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 1.7A(Tc) 10V 3.4オーム @ 500mA、10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V ±20V 65pF @ 25V
-
26W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
R6002END3TL1 Datasheet R6002END3TL1 - Rohm Semiconductor R6002END3TL1DKR-ND R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET 2,400 - 即時 有り: 2,400 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 1.7A(Tc) 10V 3.4オーム @ 500mA、10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V ±20V 65pF @ 25V
-
26W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
1ページあたりの検索結果表示件数
ページ 1/1

12:18:11 7/7/2020