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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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QS8M51TR
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
QS8M51TR Datasheet QS8M51TR - Rohm Semiconductor QS8M51TR-ND QS8M51TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 0 有り: 0
標準リードタイム52週間
¥67.91033 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 100V 2A、1.5A 325ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V 1.5W 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
QS8M51TR Datasheet QS8M51TR - Rohm Semiconductor QS8M51CT-ND QS8M51TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 2,306 - 即時 有り: 2,306 ¥160.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 100V 2A、1.5A 325ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V 1.5W 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
QS8M51TR Datasheet QS8M51TR - Rohm Semiconductor QS8M51DKR-ND QS8M51TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 2,306 - 即時 有り: 2,306 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 100V 2A、1.5A 325ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V 1.5W 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
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