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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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QS8J2TR
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
QS8J2TR Datasheet QS8J2TR - Rohm Semiconductor 846-QS8J2TR-ND QS8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 3,000 - 即時 有り: 3,000 ¥46.89067 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.5V駆動 12V 4A 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 550mW 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
QS8J2TR Datasheet QS8J2TR - Rohm Semiconductor 846-QS8J2CT-ND QS8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 5,875 - 即時 有り: 5,875 ¥121.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.5V駆動 12V 4A 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 550mW 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
QS8J2TR Datasheet QS8J2TR - Rohm Semiconductor 846-QS8J2DKR-ND QS8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 5,875 - 即時 有り: 5,875 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.5V駆動 12V 4A 36ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 550mW 150°C(TJ) 面実装 8-SMD、フラットリード TSMT8
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