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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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BSS84XHZGG2CR
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRTR-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 0 有り: 0
標準リードタイム16週間
¥21.32500 8,000 Minimum: 8,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101 アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 230mA(Ta)
-
5.3オーム @ 230mA、10V 2.5V @ 100µA
-
±20V 34pF @ 30V
-
1W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1010-3W 3-XFDFN
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRCT-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 6,555 - 即時 有り: 6,555 ¥65.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101 アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 230mA(Ta)
-
5.3オーム @ 230mA、10V 2.5V @ 100µA
-
±20V 34pF @ 30V
-
1W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1010-3W 3-XFDFN
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRDKR-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 6,555 - 即時 有り: 6,555 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101 アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 230mA(Ta)
-
5.3オーム @ 230mA、10V 2.5V @ 100µA
-
±20V 34pF @ 30V
-
1W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1010-3W 3-XFDFN
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