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PMIC - フル、ハーフブリッジドライバ

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BS2130F-GE2
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 出力構成 アプリケーション インターフェース 負荷タイプ 技術 Rds On(標準) 電流 - 出力/チャンネル 電流 - ピーク出力 電圧 - 供給 電圧 - 負荷 動作温度 特長 フォールト保護 実装タイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
BS2130F-GE2 Datasheet BS2130F-GE2 - Rohm Semiconductor BS2130F-GE2TR-ND BS2130F-GE2 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE 0 有り: 0
標準リードタイム13週間
¥203.28667 1,500 Minimum: 1,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ ハーフブリッジ(3) 汎用 論理 誘導性、容量性 パワーMOSFET、IGBT
-
350mA
-
11.5V~20V 600V(最大) -40°C~125°C(TA) ブートストラップ回路 電流制限、UVLO 面実装 28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅) 28-SOP
BS2130F-GE2 Datasheet BS2130F-GE2 - Rohm Semiconductor BS2130F-GE2CT-ND BS2130F-GE2 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE 1,355 - 即時 有り: 1,355 ¥385.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ ハーフブリッジ(3) 汎用 論理 誘導性、容量性 パワーMOSFET、IGBT
-
350mA
-
11.5V~20V 600V(最大) -40°C~125°C(TA) ブートストラップ回路 電流制限、UVLO 面実装 28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅) 28-SOP
BS2130F-GE2 Datasheet BS2130F-GE2 - Rohm Semiconductor BS2130F-GE2DKR-ND BS2130F-GE2 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE 1,355 - 即時 有り: 1,355 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ ハーフブリッジ(3) 汎用 論理 誘導性、容量性 パワーMOSFET、IGBT
-
350mA
-
11.5V~20V 600V(最大) -40°C~125°C(TA) ブートストラップ回路 電流制限、UVLO 面実装 28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅) 28-SOP
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