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EPC2034C Nチャンネル 200V 48A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
1 776.00000 ¥776
10 701.10000 ¥7,011
25 668.52000 ¥16,713
100 554.36000 ¥55,436

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 917-1214-2-ND
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  • 単価: ¥500.82400
  • Digi-Reel®  : 917-1214-6-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1214-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2034C
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商品概要 TRANS GAN 200V 8MOHM DIE
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メーカーの標準リードタイム 10週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 48A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
ハイライト製品 EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs
データシート EPC2034C
リファレンス設計ライブラリ EPC9048: 12A, 0 ~ 160V, Half H-Bridge
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 48A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 8ミリオーム @ 20A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 7mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1140pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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