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EPC2101 MOSFET - アレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 60V 9.5A、 38A 面実装 ダイ
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1 824.00000 ¥824
10 744.60000 ¥7,446
25 710.00000 ¥17,750
100 588.77000 ¥58,877

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Digi-Key品番 917-1181-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2101
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商品概要 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 60V 9.5A、 38A 面実装 ダイ

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製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 9.5A、 38A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 11.5ミリオーム @ 20A、5V、2.7ミリオーム @ 20A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA、2.5V @ 12mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.7nC @ 5V、12nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 300pF @ 30V、1200pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース ダイ
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1181-1