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EPC2100 MOSFET - アレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 30V 10A(Ta)、40A(Ta) 面実装 ダイ
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Digi-Key品番 917-1180-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2100
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商品概要 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 30V 10A(Ta)、40A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2100
EPC2100
ハイライト製品 EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board
PCNアセンブリ/原産地 EPC2YYY 20/Sep/2018
リファレンス設計ライブラリ EPC9059: 50A, 0 ~ 20V, Half Bridge
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 Digi-Keyでは取扱い終了
FETタイプ Nチャンネル2個(ハーフブリッジ)
FET機能 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)、40A(Ta)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 8.2ミリオーム @ 25A、5V、2.1ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 4mA、2.5V @ 16mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4.9nC @ 15V、19nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 475pF @ 15V、1960pF @ 15V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース ダイ
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1180-1