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EPC2107 MOSFET - アレイ 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ) 100V 1.7A、500mA 面実装 9-BGA (1.35x1.35)
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Digi-Key品番 917-1168-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2107
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商品概要 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ) 100V 1.7A、500mA 面実装 9-BGA (1.35x1.35)

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2107
ハイライト製品 Wireless Power Solutions
GaN ICs for Wireless Power
PCNアセンブリ/原産地 EPC2/EPC8 15/Jun/2018
リファレンス設計ライブラリ EPC9114(#1): 10W, Class 2, Rezence (A4WP) Compatible
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 Digi-Keyでは取扱い終了
FETタイプ 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)
FET機能 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.7A、500mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 320ミリオーム @ 2A, 5V, 3.3オーム @ 2A, 5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1168-1