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EPC2029 Nチャンネル 80V 48A(Ta) 面実装 ダイ
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500 431.79400 ¥215,897
1,000 388.61400 ¥388,614
2,500 374.22120 ¥935,553
5,000 354.07100 ¥1,770,355
12,500 345.43504 ¥4,317,938

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1107-1-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: ¥701.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1107-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 6,607 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1107-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2029
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商品概要 GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 80V 48A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2029
ハイライト製品 EPC2029 eGaN FETs
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018
HTMLデータシート EPC2029 Datasheet
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 48A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.2ミリオーム @ 30A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 12mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 13nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1410pF @ 40V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 500
その他の製品名/品番 917-1107-2