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EPC2035 Nチャンネル 60V 1A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
2,500 39.63720 ¥99,093
5,000 35.67360 ¥178,368
12,500 33.03112 ¥412,889
25,000 32.50260 ¥812,565
62,500 31.70986 ¥1,981,866

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1099-1-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: ¥101.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1099-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 6,678 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1099-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2035
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商品概要 GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 1A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2035
EPC2035,36 Product Highlight
ハイライト製品 EPC - GaN Performance at MOSFET Value
HTMLデータシート EPC2035,36 Product Highlight
リファレンス設計ライブラリ EPC9049: 4A, 0 ~ 60V, Half Bridge
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 45ミリオーム @ 1A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 800µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 1.15nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 115pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 917-1099-2