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EPC2019 Nチャンネル 200V 8.5A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
1,000 194.10500 ¥194,105
2,000 191.27100 ¥382,542
5,000 174.26920 ¥871,346
10,000 170.01880 ¥1,700,188

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1087-1-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 4,539 - 即時
  • 単価: ¥385.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1087-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 4,539 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1087-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2019
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商品概要 GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 8.5A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2019
ハイライト製品 EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
PCN設計/仕様 Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018
リファレンス設計ライブラリ EPC9014: 4A, 0 ~ 200V, Half H-Bridge
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 50ミリオーム @ 7A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 1.5mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 270pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1,000
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