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EPC8010 Nチャンネル 100V 2.7A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
2,500 97.76080 ¥244,402
5,000 90.67660 ¥453,383
12,500 87.13464 ¥1,089,183
25,000 85.00940 ¥2,125,235

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1086-1-ND
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  • 単価: ¥214.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1086-6-ND
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Digi-Key品番 917-1086-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC8010
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商品概要 GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 2.7A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
データシート EPC8010
eGaN® FET Brief
ハイライト製品 Wireless Power Solutions
HTMLデータシート eGaN® FET Brief
EPC8010
リファレンス設計ライブラリ EPC9068: 2.7A, 0 ~ 100V, Half H-bridge
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2.7A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 160ミリオーム @ 500mA、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.48nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 55pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 917-1086-2