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EPC2010C Nチャンネル 200V 22A(Ta) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒)
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数量 単価 金額
500 406.54000 ¥203,270
1,000 348.10000 ¥348,100
2,500 343.01800 ¥857,545
5,000 312.52760 ¥1,562,638
12,500 304.90504 ¥3,811,313

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1085-1-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 6,249 - 即時
  • 単価: ¥673.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1085-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 6,249 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1085-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2010C
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商品概要 GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 22A(Ta) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒)

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2010C
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
リファレンス設計ライブラリ EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 22A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 25ミリオーム @ 12A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5.3nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 540pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径(7-はんだ棒)
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 500
その他の製品名/品番 917-1085-2