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EPC2014C Nチャンネル 40V 10A(Ta) 面実装 ダイ外径(5-はんだ棒)
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数量 単価 金額
2,500 71.37000 ¥178,425
5,000 64.88220 ¥324,411
12,500 61.88760 ¥773,595
25,000 59.89116 ¥1,497,279

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1082-1-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: ¥168.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1082-6-ND
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Digi-Key品番 917-1082-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2014C
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商品概要 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 10A(Ta) 面実装 ダイ外径(5-はんだ棒)

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ドキュメントとメディア
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
データシート EPC2014C
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
EDA/CADモデル EPC2014C by SnapEDA
HTMLデータシート EPC2014C
リファレンス設計ライブラリ EPC9005C: 7A, 0 ~ 40V, Half H-Bridge Driver
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 10A、 5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 2mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 300pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径(5-はんだ棒)
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 917-1082-2