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EPC2016C Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
2,500 117.33760 ¥293,344
5,000 108.83500 ¥544,175
12,500 104.58368 ¥1,307,296
25,000 102.03288 ¥2,550,822

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1080-1-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: ¥257.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1080-6-ND
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1080-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2016C
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商品概要 GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
データシート EPC2016C
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9126: 75A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
EDA/CADモデル Ultra Librarianからダウンロード
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 11A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 420pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 917-1080-2