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EPC2001C Nチャンネル 100V 36A(Ta) 面実装 ダイ外径(11-はんだ棒)
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数量 単価 金額
2,500 244.40200 ¥611,005
5,000 222.67740 ¥1,113,387
12,500 217.24624 ¥2,715,578

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1079-1-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 2,212 - 即時
  • 単価: ¥492.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1079-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 2,212 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1079-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2001C
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商品概要 GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 36A(Ta) 面実装 ダイ外径(11-はんだ棒)

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ドキュメントとメディア
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
データシート EPC2001C
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
PCN設計/仕様 Mfg Process Update 29/Mar/2016
リファレンス設計ライブラリ EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 36A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 7ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 9nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 900pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径(11-はんだ棒)
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 2,500
その他の製品名/品番 917-1079-2