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EPC8009 Nチャンネル 65V 2.7A(Ta) 面実装 ダイ
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5,000 149.37360 ¥746,868
12,500 145.73040 ¥1,821,630

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他の梱包形態
  • カット テープ(CT)  : 917-1078-1-ND
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  • 単価: ¥329.00000
  • Digi-Reel®  : 917-1078-6-ND
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  • 在庫数量: 7,978 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1078-2-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC8009
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商品概要 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 65V 2.7A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
データシート EPC8009
eGaN® FET Brief
HTMLデータシート eGaN® FET Brief
EPC8009 Datasheet
リファレンス設計ライブラリ EPC9029: 3.5A, 0 ~ 65V, Half H-Bridge
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 65V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2.7A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 130ミリオーム @ 500mA、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.45nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 52pF @ 32.5V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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