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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IPW60R070CFD7XKSA1 Datasheet IPW60R070CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPW60R070CFD7XKSA1-ND IPW60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 600V TO247-3 1,747 - 即時 有り: 1,747 ¥824.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 31A(Tc) 10V 70ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67nC @ 10V ±20V 2721pF @ 400V
-
156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
IPW60R031CFD7XKSA1 Datasheet IPW60R031CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPW60R031CFD7XKSA1-ND IPW60R031CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 600V TO247-3 331 - 即時 有り: 331 ¥1,476.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 63A(Tc) 10V 31ミリオーム @ 32.6A、10V 4.5V @ 1.63mA 141nC @ 10V ±20V 5623pF @ 400V
-
278W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
IPD60R280CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R280CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R280CFD7ATMA1TR-ND IPD60R280CFD7ATMA1 MOSFET N-CH TO252-3 2,500 - 即時 有り: 2,500 ¥105.66200 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 9A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
51W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPD60R280CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R280CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R280CFD7ATMA1CT-ND IPD60R280CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO252-3 3,571 - 即時 有り: 3,571 ¥225.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 9A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
51W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPD60R280CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R280CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R280CFD7ATMA1DKR-ND IPD60R280CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO252-3 3,571 - 即時 有り: 3,571 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 9A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
51W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPP60R070CFD7XKSA1 Datasheet IPP60R070CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPP60R070CFD7XKSA1-ND IPP60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH TO220-3 565 - 即時 有り: 565 ¥722.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 31A(Tc) 10V 70ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67nC @ 10V ±20V 2721pF @ 400V
-
156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3 TO-220-3
IPW60R170CFD7XKSA1 Datasheet IPW60R170CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPW60R170CFD7XKSA1-ND IPW60R170CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 600V TO247-3 456 - 即時 有り: 456 ¥367.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 14A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
75W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3 TO-247-3
IPL60R185CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R185CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R185CFD7AUMA1TR-ND IPL60R185CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥167.96033 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 14A(Tc) 10V 185ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
85W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPL60R185CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R185CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R185CFD7AUMA1CT-ND IPL60R185CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 51A PGVSON-4 2,903 - 即時 有り: 2,903 ¥330.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 14A(Tc) 10V 185ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
85W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPL60R185CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R185CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R185CFD7AUMA1DKR-ND IPL60R185CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 51A PGVSON-4 2,903 - 即時 有り: 2,903 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 14A(Tc) 10V 185ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
85W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPL60R075CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R075CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R075CFD7AUMA1TR-ND IPL60R075CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON 0 有り: 0 ¥393.84767 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 33A(Tc) 10V 75ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67nC @ 10V ±20V 2721pF @ 400V
-
189W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPL60R075CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R075CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R075CFD7AUMA1CT-ND IPL60R075CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 129A PGVSON-4 2,950 - 即時 有り: 2,950 ¥721.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 33A(Tc) 10V 75ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67nC @ 10V ±20V 2721pF @ 400V
-
189W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPL60R075CFD7AUMA1 Datasheet IPL60R075CFD7AUMA1 - Infineon Technologies IPL60R075CFD7AUMA1DKR-ND IPL60R075CFD7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 129A PGVSON-4 2,950 - 即時 有り: 2,950 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 33A(Tc) 10V 75ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67nC @ 10V ±20V 2721pF @ 400V
-
189W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4 4-PowerTSFN
IPP60R280CFD7XKSA1 Datasheet IPP60R280CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPP60R280CFD7XKSA1-ND IPP60R280CFD7XKSA1 MOSFET N-CH TO220-3 660 - 即時 有り: 660 ¥249.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 9A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3 TO-220-3
IPA60R280CFD7XKSA1 Datasheet IPA60R280CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPA60R280CFD7XKSA1-ND IPA60R280CFD7XKSA1 MOSFET N-CH TO220FP-3 237 - 即時 有り: 237 ¥249.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 6A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
24W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ TO-220-3フルパッッケージ
IPP60R170CFD7XKSA1 Datasheet IPP60R170CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPP60R170CFD7XKSA1-ND IPP60R170CFD7XKSA1 MOSFET N-CH TO220-3 266 - 即時 有り: 266 ¥331.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 14A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
75W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3 TO-220-3
IPA60R170CFD7XKSA1 Datasheet IPA60R170CFD7XKSA1 - Infineon Technologies IPA60R170CFD7XKSA1-ND IPA60R170CFD7XKSA1 MOSFET N-CH TO220FP-3 446 - 即時 有り: 446 ¥331.00000 1 Minimum: 1 チューブ CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 8A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
26W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ TO-220-3フルパッッケージ
IPP60R360CFD7XKSA1 Datasheet IPP60R360CFD7XKSA1 - Infineon Technologies 448-IPP60R360CFD7XKSA1-ND IPP60R360CFD7XKSA1 LOW POWER_NEW 500 - 即時 有り: 500 ¥200.00000 1 Minimum: 1
-
CoolMOS™ CFD7 アクティブ
-
MOSFET(金属酸化物) 600V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
スルーホール PG-TO220-3-1 TO-220-3
IPD60R170CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R170CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R170CFD7ATMA1TR-ND IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET N-CH TO252-3 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥144.75600 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 14A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
76W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPD60R170CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R170CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R170CFD7ATMA1CT-ND IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 51A TO252-3 807 - 即時 有り: 807 ¥309.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 14A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
76W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPD60R170CFD7ATMA1 Datasheet IPD60R170CFD7ATMA1 - Infineon Technologies IPD60R170CFD7ATMA1DKR-ND IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 51A TO252-3 807 - 即時 有り: 807 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 14A(Tc) 10V 170ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28nC @ 10V ±20V 1199pF @ 400V
-
76W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPD60R360CFD7ATMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPD60R360CFD7ATMA1TR-ND
IPD60R360CFD7ATMA1 LOW POWER_NEW 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥85.73600 2,500
非在庫保有商品
Minimum: 2,500
-
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 7A(Tc) 10V 360ミリオーム @ 2.9A、10V 4.5V @ 140µA 14nC @ 10V ±20V 679pF @ 400V
-
43W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-313 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
IPB60R360CFD7ATMA1 Datasheet IPB60R360CFD7ATMA1 - Infineon Technologies 448-IPB60R360CFD7ATMA1TR-ND
IPB60R360CFD7ATMA1 LOW POWER_NEW 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥95.05100 1,000
非在庫保有商品
Minimum: 1,000
-
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 7A(Tc) 10V 360ミリオーム @ 2.9A、10V 4.5V @ 140µA 14nC @ 10V ±20V 679pF @ 400V
-
43W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
IPA60R360CFD7XKSA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPA60R360CFD7XKSA1-ND
IPA60R360CFD7XKSA1 LOW POWER_NEW 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥112.02600 500
非在庫保有商品
Minimum: 500
-
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 5A(Tc) 10V 360ミリオーム @ 2.9A、10V 4.5V @ 140µA 14nC @ 10V ±20V 679pF @ 400V
-
23W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ TO-220-3フルパッッケージ
IPB60R280CFD7ATMA1 Datasheet IPB60R280CFD7ATMA1 - Infineon Technologies 448-IPB60R280CFD7ATMA1TR-ND
IPB60R280CFD7ATMA1 LOW POWER_NEW 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥118.34200 1,000
非在庫保有商品
Minimum: 1,000
-
CoolMOS™ CFD7 アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 650V 9A(Tc) 10V 280ミリオーム @ 3.6A、10V 4.5V @ 180µA 18nC @ 10V ±20V 807pF @ 400V
-
51W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
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01:11:22 5/25/2020