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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1TR-ND BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V SOT363 24,000 - 即時 有り: 24,000 ¥14.20633 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V 950mA、530mA 350ミリオーム @ 950mA、4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.34nC @ 4.5V 47pF @ 10V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1CT-ND BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V SOT363 25,835 - 即時 有り: 25,835 ¥50.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V 950mA、530mA 350ミリオーム @ 950mA、4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.34nC @ 4.5V 47pF @ 10V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1DKR-ND BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V SOT363 25,835 - 即時 有り: 25,835 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V 950mA、530mA 350ミリオーム @ 950mA、4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.34nC @ 4.5V 47pF @ 10V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSC150N03LDGATMA1 Datasheet BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1TR-ND BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 20,000 - 即時 有り: 20,000 ¥56.82480 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 8A 15ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
BSC150N03LDGATMA1 Datasheet BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1CT-ND BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 24,233 - 即時 有り: 24,233 ¥128.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 8A 15ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
BSC150N03LDGATMA1 Datasheet BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1DKR-ND BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 24,233 - 即時 有り: 24,233 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 30V 8A 15ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
BSO604NS2XUMA1 Datasheet BSO604NS2XUMA1 - Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1TR-ND BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 2,500 - 即時 有り: 2,500 ¥97.07560 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR) OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 55V 5A 35ミリオーム @ 2.5A、10V 2V @ 30µA 26nC @ 10V 870pF @ 25V 2W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) P-DSO-8
BSO604NS2XUMA1 Datasheet BSO604NS2XUMA1 - Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1CT-ND BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 0 有り: 0
Digi-Keyでは取扱い終了
-
カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ Digi-Keyでは取扱い終了 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 55V 5A 35ミリオーム @ 2.5A、10V 2V @ 30µA 26nC @ 10V 870pF @ 25V 2W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) P-DSO-8
BSO604NS2XUMA1 Datasheet BSO604NS2XUMA1 - Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1DKR-ND BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 0 有り: 0 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ Digi-Keyでは取扱い終了 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 55V 5A 35ミリオーム @ 2.5A、10V 2V @ 30µA 26nC @ 10V 870pF @ 25V 2W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) P-DSO-8
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1TR-ND 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 0 有り: 0
標準リードタイム30週間
¥9.40433 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 300mA 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V 20pF @ 25V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 1,390 - 即時 有り: 1,390 ¥51.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 300mA 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V 20pF @ 25V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1DKR-ND 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 1,390 - 即時 有り: 1,390 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 300mA 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V 20pF @ 25V 500mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSD223PH6327XTSA1 Datasheet BSD223PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1TR-ND BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 0 有り: 0
標準リードタイム30週間
¥11.93333 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 390mA 1.2オーム @ 390mA、4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSD223PH6327XTSA1 Datasheet BSD223PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1CT-ND BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 3,244 - 即時 有り: 3,244 ¥64.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 390mA 1.2オーム @ 390mA、4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSD223PH6327XTSA1 Datasheet BSD223PH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1DKR-ND BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 3,244 - 即時 有り: 3,244 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 390mA 1.2オーム @ 390mA、4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 PG-SOT363-6
BSO211PNTMA1 Datasheet BSO211PNTMA1 - Infineon Technologies BSO211PNTMA1TR-ND
BSO211PNTMA1 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO 0 有り: 0
生産中止品
-
テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ 生産中止品 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.7A 67ミリオーム @ 4.7A、4.5V 1.2V @ 25µA 23.9nC @ 4.5V 920pF @ 15V 2W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) P-DSO-8
BSO211PNTMA1 Datasheet BSO211PNTMA1 - Infineon Technologies BSO211PNTMA1CT-ND
BSO211PNTMA1 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO 1,370 - 即時 有り: 1,370 ¥102.00000
-
カット テープ(CT) OptiMOS™ 生産中止品 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.7A 67ミリオーム @ 4.7A、4.5V 1.2V @ 25µA 23.9nC @ 4.5V 920pF @ 15V 2W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) P-DSO-8
BSZ0910NDXTMA1 Datasheet BSZ0910NDXTMA1 - Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1TR-ND BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS 0 有り: 0
標準リードタイム18週間
¥84.52680 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、4.5V駆動 30V 9.5A(Ta)、25A(Tc) 9.5ミリオーム @ 9A、10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V 1.9W(Ta)、31W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-WISON-8
BSZ0910NDXTMA1 Datasheet BSZ0910NDXTMA1 - Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1CT-ND BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS 3,355 - 即時 有り: 3,355 ¥167.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、4.5V駆動 30V 9.5A(Ta)、25A(Tc) 9.5ミリオーム @ 9A、10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V 1.9W(Ta)、31W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-WISON-8
BSZ0910NDXTMA1 Datasheet BSZ0910NDXTMA1 - Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1DKR-ND BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS 3,355 - 即時 有り: 3,355 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、4.5V駆動 30V 9.5A(Ta)、25A(Tc) 9.5ミリオーム @ 9A、10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V 1.9W(Ta)、31W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-WISON-8
IPG20N04S408ATMA1 Datasheet IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1TR-ND IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 0 有り: 0 ¥107.87220 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 40V 20A 7.6ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
IPG20N04S408ATMA1 Datasheet IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1CT-ND IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 3,442 - 即時 有り: 3,442 ¥213.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 40V 20A 7.6ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
IPG20N04S408ATMA1 Datasheet IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1DKR-ND IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 3,442 - 即時 有り: 3,442 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 40V 20A 7.6ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-4
BSC0910NDIATMA1 Datasheet BSC0910NDIATMA1 - Infineon Technologies 448-BSC0910NDIATMA1TR-ND BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 0 有り: 0 ¥154.84740 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2N-チャンネル(デュアル)非対称 ロジックレベルゲート、4.5V駆動 25V 11A、31A 4.6ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V 4500pF @ 12V 1W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerTDFN PG-TISON-8
BSC0910NDIATMA1 Datasheet BSC0910NDIATMA1 - Infineon Technologies 448-BSC0910NDIATMA1CT-ND BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 2,936 - 即時 有り: 2,936 ¥275.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ 2N-チャンネル(デュアル)非対称 ロジックレベルゲート、4.5V駆動 25V 11A、31A 4.6ミリオーム @ 25A、10V 2V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V 4500pF @ 12V 1W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PowerTDFN PG-TISON-8
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23:35:46 6/24/2021