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トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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仕入先
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最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 実装タイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
SI6913DQ-T1-GE3 Datasheet SI6913DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3TR-ND SI6913DQ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP 24,000 - 即時 有り: 24,000 ¥51.00133 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 12V 4.9A 21ミリオーム @ 5.8A、4.5V 900mV @ 400µA 28nC @ 4.5V
-
830mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP(0.173インチ、4.40mm幅) 8-TSSOP
SI6913DQ-T1-GE3 Datasheet SI6913DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3CT-ND SI6913DQ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP 25,924 - 即時 有り: 25,924 ¥121.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 12V 4.9A 21ミリオーム @ 5.8A、4.5V 900mV @ 400µA 28nC @ 4.5V
-
830mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP(0.173インチ、4.40mm幅) 8-TSSOP
SI6913DQ-T1-GE3 Datasheet SI6913DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND SI6913DQ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP 25,924 - 即時 有り: 25,924 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 12V 4.9A 21ミリオーム @ 5.8A、4.5V 900mV @ 400µA 28nC @ 4.5V
-
830mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP(0.173インチ、4.40mm幅) 8-TSSOP
SI4963BDY-T1-E3 Datasheet SI4963BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3TR-ND SI4963BDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC 17,500 - 即時 有り: 17,500 ¥59.68200 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.9A 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V
-
1.1W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4963BDY-T1-E3 Datasheet SI4963BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3CT-ND SI4963BDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC 21,782 - 即時 有り: 21,782 ¥142.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.9A 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V
-
1.1W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4963BDY-T1-E3 Datasheet SI4963BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3DKR-ND SI4963BDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC 21,782 - 即時 有り: 21,782 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 4.9A 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V
-
1.1W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4559ADY-T1-E3 Datasheet SI4559ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-E3TR-ND SI4559ADY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 32,500 - 即時 有り: 32,500 ¥61.89400 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 60V 5.3A、3.9A 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 665pF @ 15V 3.1W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4559ADY-T1-E3 Datasheet SI4559ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-E3CT-ND SI4559ADY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 33,061 - 即時 有り: 33,061 ¥148.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 60V 5.3A、3.9A 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 665pF @ 15V 3.1W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4559ADY-T1-E3 Datasheet SI4559ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-E3DKR-ND SI4559ADY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 33,061 - 即時 有り: 33,061 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 60V 5.3A、3.9A 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V 665pF @ 15V 3.1W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-GE3TR-ND SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 45,000 - 即時 有り: 45,000 ¥13.26833 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 700mA、500mA 388ミリオーム @ 600mA、10V 2.5V @ 250µA 1.5nC @ 10V 28pF @ 15V 340mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SOT-363
SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-GE3CT-ND SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 45,279 - 即時 有り: 45,279 ¥49.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 700mA、500mA 388ミリオーム @ 600mA、10V 2.5V @ 250µA 1.5nC @ 10V 28pF @ 15V 340mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SOT-363
SI1539CDL-T1-GE3 Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-GE3DKR-ND SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 45,279 - 即時 有り: 45,279 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 30V 700mA、500mA 388ミリオーム @ 600mA、10V 2.5V @ 250µA 1.5nC @ 10V 28pF @ 15V 340mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SOT-363
SI1016CX-T1-GE3 Datasheet SI1016CX-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1016CX-T1-GE3TR-ND SI1016CX-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 120,000 - 即時 有り: 120,000 ¥14.59533 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V
-
396ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V 43pF @ 10V 220mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1016CX-T1-GE3 Datasheet SI1016CX-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1016CX-T1-GE3CT-ND SI1016CX-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 121,992 - 即時 有り: 121,992 ¥53.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V
-
396ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V 43pF @ 10V 220mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1016CX-T1-GE3 Datasheet SI1016CX-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1016CX-T1-GE3DKR-ND SI1016CX-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 121,992 - 即時 有り: 121,992 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 20V
-
396ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V 43pF @ 10V 220mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1922EDH-T1-GE3 Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3TR-ND SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 18,000 - 即時 有り: 18,000 ¥16.22200 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 1.3A 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V
-
1.25W -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1922EDH-T1-GE3 Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3CT-ND SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 18,650 - 即時 有り: 18,650 ¥48.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 1.3A 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V
-
1.25W -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1922EDH-T1-GE3 Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3DKR-ND SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 18,650 - 即時 有り: 18,650 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 1.3A 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V
-
1.25W -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1026X-T1-GE3 Datasheet SI1026X-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3TR-ND SI1026X-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 141,000 - 即時 有り: 141,000 ¥16.61867 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 305mA 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V 30pF @ 25V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1026X-T1-GE3 Datasheet SI1026X-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3CT-ND SI1026X-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 141,911 - 即時 有り: 141,911 ¥49.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 305mA 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V 30pF @ 25V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1026X-T1-GE3 Datasheet SI1026X-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3DKR-ND SI1026X-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 141,911 - 即時 有り: 141,911 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 305mA 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V 30pF @ 25V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
SI1902DL-T1-E3 Datasheet SI1902DL-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1902DL-T1-E3TR-ND SI1902DL-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 204,000 - 即時 有り: 204,000 ¥18.02467 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 660mA 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V
-
270mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1902DL-T1-E3 Datasheet SI1902DL-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1902DL-T1-E3CT-ND SI1902DL-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 204,876 - 即時 有り: 204,876 ¥52.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 660mA 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V
-
270mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1902DL-T1-E3 Datasheet SI1902DL-T1-E3 - Vishay Siliconix SI1902DL-T1-E3DKR-ND SI1902DL-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 204,876 - 即時 有り: 204,876 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 20V 660mA 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V
-
270mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 SC-70-6(SOT-363)
SI1029X-T1-GE3 Datasheet SI1029X-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3TR-ND SI1029X-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 57,000 - 即時 有り: 57,000 ¥19.82700 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル 論理レベルゲート 60V 305mA、190mA 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.75nC @ 4.5V 30pF @ 25V 250mW -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563、SOT-666 SC-89-6
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20:31:04 2/22/2020