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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
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Id印加時のVgs(th)(最大)
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
BSS123IXTSA1 Datasheet Photo Not Available 448-BSS123IXTSA1TR-ND BSS123IXTSA1 Infineon Technologies SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 3,000 - 即時 有り: 3,000 ¥8.20567 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 190mA(Ta) 4.5V、10V 6オーム @ 190mA、10V 1.8V @ 13µA 0.63nC @ 10V ±20V 15pF @ 50V
-
500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSS123IXTSA1 Datasheet Photo Not Available 448-BSS123IXTSA1CT-ND BSS123IXTSA1 Infineon Technologies SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 3,000 - 即時 有り: 3,000 ¥47.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 190mA(Ta) 4.5V、10V 6オーム @ 190mA、10V 1.8V @ 13µA 0.63nC @ 10V ±20V 15pF @ 50V
-
500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSS123IXTSA1 Datasheet Photo Not Available 448-BSS123IXTSA1DKR-ND BSS123IXTSA1 Infineon Technologies SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 3,000 - 即時 有り: 3,000 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 190mA(Ta) 4.5V、10V 6オーム @ 190mA、10V 1.8V @ 13µA 0.63nC @ 10V ±20V 15pF @ 50V
-
500mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT-23-3 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
BSC005N03LS5ATMA1 Datasheet BSC005N03LS5ATMA1 - Infineon Technologies 448-BSC005N03LS5ATMA1TR-ND BSC005N03LS5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH <= 40V 0 有り: 0 ¥158.30200 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 42A(Ta)、433A(Tc) 4.5V、10V 0.55ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 250µA 122nC @ 10V ±20V 8900pF @ 15V
-
3W(Ta)、188W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8 FL 8-PowerTDFN
BSC004NE2LS5ATMA1 Datasheet BSC004NE2LS5ATMA1 - Infineon Technologies 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH <= 40V 0 有り: 0 ¥158.30200 5,000 Minimum: 5,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 40A(Ta)、479A(Tc) 4.5V、10V 0.45ミリオーム @ 30A、10V 2V @ 10mA 238nC @ 10V ±20V 11000pF @ 12.5V
-
2.5W(Ta)、188W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8 8-PowerTDFN
IPT010N08NM5ATMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPT010N08NM5ATMA1TR-ND IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 0 有り: 0 ¥558.09800 2,000 Minimum: 2,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 43A (Ta), 425A (Tc) 6V、10V 1.05mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V ±20V 16000pF @ 40V
-
3.8W(Ta)、375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 8-PowerSFN
IPT010N08NM5ATMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPT010N08NM5ATMA1CT-ND IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 0 有り: 0 ¥872.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 43A (Ta), 425A (Tc) 6V、10V 1.05mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V ±20V 16000pF @ 40V
-
3.8W(Ta)、375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 8-PowerSFN
IPT010N08NM5ATMA1 Datasheet Photo Not Available 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR-ND IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
OptiMOS™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 43A (Ta), 425A (Tc) 6V、10V 1.05mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 280µA 223nC @ 10V ±20V 16000pF @ 40V
-
3.8W(Ta)、375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 8-PowerSFN
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16:41:59 6/12/2021