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SQM120P06-07L_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQM120P06-07L_GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SQM120P06-07L_GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D²Pak)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SQM120P06-07L
PCN部品番号 New Ordering Code 19/Mar/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 120A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 6.7ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 270nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 14280pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 375W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-263(D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 SQM120
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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