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SQJB00EP-T1_GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 30A(Tc) 48W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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1 121.00000 ¥121
10 107.70000 ¥1,077
25 102.28000 ¥2,557
100 76.72000 ¥7,672
250 75.99200 ¥18,998
500 65.03400 ¥32,517
1,000 52.97600 ¥52,976

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQJB00EP-T1_GE3TR-ND
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  • 在庫数量: 3,000 - 即時
  • 単価: ¥52.24567

SQJB00EP-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SQJB00EP-T1_GE3
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商品概要 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 30A(Tc) 48W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル

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ドキュメントとメディア
データシート SQJB00EP
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ 車載用、AEC-Q101、TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 13ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 35nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1700pF @ 25V
電力 - 最大 48W
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8デュアル
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SQJB00EP-T1_GE3CT