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SQJ463EP-T1_GE3 Pチャンネル 40V 30A(Tc) 83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
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数量 単価 金額
1 321.00000 ¥321
10 288.40000 ¥2,884
25 272.60000 ¥6,815
100 218.08000 ¥21,808
250 205.96800 ¥51,492
500 193.85400 ¥96,927
1,000 165.98700 ¥165,987

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQJ463EP-T1_GE3TR-ND
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  • 在庫数量: 3,000 - 即時
  • 単価: ¥163.56367

SQJ463EP-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SQJ463EP-T1_GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 40V 30A
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 30A(Tc) 83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8

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ドキュメントとメディア
データシート SQJ463EP
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
PCNアセンブリ/原産地 SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
PCN部品番号 New Ordering Code 19/Mar/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ 車載用、AEC-Q101、TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 10ミリオーム @ 18A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 150nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 5875pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
ベース部品番号 SQJ463
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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