JPY | USD

SQJ423EP-T1_GE3 Pチャンネル 40V 55A(Tc) 68W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
価格と調達
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 126.00000 ¥126
10 112.60000 ¥1,126
25 106.92000 ¥2,673
100 87.81000 ¥8,781
500 72.53800 ¥36,269
1,000 57.26800 ¥57,268

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQJ423EP-T1_GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥57.26767

SQJ423EP-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
コピー  
仕入先

Vishay Siliconix

コピー  
メーカー品番 SQJ423EP-T1_GE3
コピー  
商品概要 MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
コピー  
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 55A(Tc) 68W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SQJ423EP
HTMLデータシート SQJ423EP
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 55A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 14ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 130nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 4500pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 68W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
ベース品番 SQJ423
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

¥168.00000 詳細

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

¥164.00000 詳細

SQJ415EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

¥112.00000 詳細

P82B96PWR

IC REDRIVER I2C 1CH 8TSSOP

Texas Instruments

¥440.00000 詳細

LTC7810ELXE#PBF

150V LOW IQ, DUAL, 2-PHASE SYNCH

Analog Devices Inc.

¥1,471.00000 詳細

SI7463ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

¥156.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SQJ423EP-T1_GE3CT