SQD40P10-40L_GE3 Pチャンネル 100V 38A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-252AA
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SQD40P10-40L_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQD40P10-40L_GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SQD40P10-40L_GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
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商品概要の詳細

Pチャンネル 100V 38A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-252AA

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ドキュメントとメディア
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HTMLデータシート SQD40P10-40L
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 38A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 40ミリオーム @ 8.2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 144nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 5540pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 136W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
ベース品番 SQD40
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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