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1 75.00000 ¥75
10 64.10000 ¥641
100 47.89000 ¥4,789
500 37.62600 ¥18,813
1,000 29.07400 ¥29,074

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SQ2362ES-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQ2362ES-T1_GE3DKR-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SQ2362ES-T1_GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
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商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 4.3A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SQ2362ES
HTMLデータシート SQ2362ES
EDA/CADモデル SQ2362ES-T1_GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージング Digi-Reel® 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.3A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 95ミリオーム @ 4.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 12nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 550pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 3W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SQ2362
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SQ2362ES-T1_GE3DKR