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SQ2319ADS-T1_GE3 Pチャンネル 40V 4.6A(Tc) 2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 76.00000 ¥76
10 64.70000 ¥647
25 60.36000 ¥1,509
100 44.84000 ¥4,484
250 42.60400 ¥10,651
500 35.01200 ¥17,506
1,000 28.45900 ¥28,459

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQ2319ADS-T1_GE3TR-ND
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SQ2319ADS-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQ2319ADS-T1_GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SQ2319ADS-T1_GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 4.6A(Tc) 2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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ドキュメントとメディア
データシート SQ2319ADS
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ 車載用、AEC-Q101、TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.6A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 75ミリオーム @ 3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 16nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 620pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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