SQ2318AES-T1_GE3 N-Channel 40V 8A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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1 67.00000 ¥67
10 57.60000 ¥576
25 53.72000 ¥1,343
100 42.98000 ¥4,298
500 33.77400 ¥16,887
1,000 26.09800 ¥26,098

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SQ2318AES-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SQ2318AES-T1_GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
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商品概要の詳細

N-Channel 40V 8A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SQ2318AES
HTMLデータシート SQ2318AES
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 31ミリオーム @ 7.9A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 13nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 555pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 3W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SQ2318
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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