JPY | USD

価格と調達
2,234 個在庫あり
即日出荷可能
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 76.00000 ¥76
10 64.20000 ¥642
100 48.00000 ¥4,800
500 37.71000 ¥18,855
1,000 29.14000 ¥29,140

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SQ2308CES-T1_GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥26.56900

SQ2308CES-T1_GE3

データシート
Digi-Key品番 SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
コピー  
仕入先

Vishay Siliconix

コピー  
メーカー品番 SQ2308CES-T1_GE3
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
コピー  
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 2.3A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SQ2308CES
PCN部品番号 New Ordering Code 19/Mar/2015
HTMLデータシート SQ2308CES
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2.3A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 150ミリオーム @ 2.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5.3nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 205pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3(TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 SQ2308
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

MIC94070YC6-TR

IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6

Microchip Technology

¥44.00000 詳細

LM5114BMF/NOPB

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Texas Instruments

¥202.00000 詳細

SK310A R3G

DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC

Taiwan Semiconductor Corporation

¥76.00000 詳細

158AVG016MGBJ

CAP ALUM POLY 1500UF 20% 16V T/H

Illinois Capacitor

¥273.00000 詳細

ADS7883SDBVT

IC ADC 12BIT SAR SOT23-6

Texas Instruments

¥667.00000 詳細

QSD2030

SENSOR PHOTODIODE 880NM RADIAL

ON Semiconductor

¥68.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SQ2308CES-T1_GE3CT