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数量 単価 金額
1 94.00000 ¥94
10 81.40000 ¥814
25 77.64000 ¥1,941
100 56.37000 ¥5,637
500 47.10000 ¥23,550
1,000 40.08600 ¥40,086

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SISS27DN-T1-GE3TR-ND
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SISS27DN-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SISS27DN-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SISS27DN-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 50A(Tc) 4.8W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SiSS27DN
ハイライト製品 Gen III P-Channel -40 V and -30 V MOSFETs in PowerPAK® Packages
PCNアセンブリ/原産地 Multiple Devices 11/Dec/2015
HTMLデータシート SiSS27DN
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 50A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 5.6ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 140nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 5250pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 4.8W(Ta)、57W(Tc)
動作温度 -50°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S(3.3x3.3)
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
ベース品番 SISS27
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SISS27DN-T1-GE3CT