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SISB46DN-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 40V 34A(Tc) 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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10 81.20000 ¥812
25 77.48000 ¥1,937
100 56.22000 ¥5,622
500 52.47400 ¥26,237

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SISB46DN-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SISB46DN-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SISB46DN-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 40V 34A(Tc) 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SISB46DN
ハイライト製品 Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling
HTMLデータシート SISB46DN
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 34A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 11.71ミリオーム @ 5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 11nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1100pF @ 20V
電力 - 最大 23W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8デュアル
ベース品番 SISB46
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SISB46DN-T1-GE3CT