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10 63.40000 ¥634
25 59.68000 ¥1,492
100 48.68000 ¥4,868
500 38.48800 ¥19,244
1,000 30.79000 ¥30,790

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  • テープ&リール(TR)  : SIS413DN-T1-GE3TR-ND
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SIS413DN-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIS413DN-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SIS413DN-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
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商品概要の詳細

Pチャンネル 30V 18A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SIS413DN
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
HTMLデータシート SIS413DN
EDA/CADモデル SIS413DN-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 9.4ミリオーム @ 15A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 110nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 4280pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 3.7W(Ta)、52W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
ベース品番 SIS413
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

DESD3V3S1BL-7B

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SIS413DN-T1-GE3CT