JPY | USD
お気に入り

SIR638DP-T1-GE3 Nチャンネル 40V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
価格と調達
7,314 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 181.00000 ¥181
10 162.20000 ¥1,622
25 153.04000 ¥3,826
100 119.37000 ¥11,937
250 116.30400 ¥29,076
500 101.00200 ¥50,501
1,000 85.69700 ¥85,697

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SIR638DP-T1-GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 6,000 - 即時
  • 単価: ¥84.47267

SIR638DP-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIR638DP-T1-GE3CT-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 SIR638DP-T1-GE3
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
コピー  
メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8

コピー  
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 0.88ミリオーム @ 20A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 204nC @ 10V
Vgs(最大) +20V、-16V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 10500pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
ベース部品番号 SIR638
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

SUP40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

¥324.00000 詳細

SIR680DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Vishay Siliconix

¥251.00000 詳細

SI7145DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

¥249.00000 詳細

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

¥189.00000 詳細

CAB400M12XM3

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Cree/Wolfspeed

¥88,758.00000 詳細

TLV70218DBVT

IC REG LINEAR 1.8V 300MA SOT23-5

Texas Instruments

¥57.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SIR638DP-T1-GE3CT