JPY | USD

価格と調達
913 個在庫あり
即日出荷可能
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 363.00000 ¥363
10 326.00000 ¥3,260
25 308.20000 ¥7,705
100 267.10000 ¥26,710
500 227.38000 ¥113,690
1,000 205.46400 ¥205,464

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

SIHP15N60E-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIHP15N60E-GE3-ND
コピー  
仕入先

Vishay Siliconix

コピー  
メーカー品番 SIHP15N60E-GE3
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
コピー  
商品概要の詳細

N-Channel 600V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SiHF15N60E
PCN設計/仕様 Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
HTMLデータシート SiHF15N60E
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ E
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 15A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 280ミリオーム @ 8A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 78nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1350pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) 180W (Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
ベース品番 SIHP15
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
よく一緒に購入されている製品
その他のリソース
基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 SIHP15N60E-GE3TR
SIHP15N60E-GE3TR-ND