SIHG22N60EF-GE3 N-Channel 600V 19A(Tc) 179W(Tc) スルーホール TO-247AC
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SIHG22N60EF-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIHG22N60EF-GE3-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SIHG22N60EF-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
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商品概要の詳細

N-Channel 600V 19A(Tc) 179W(Tc) スルーホール TO-247AC

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SIHG22N60EF Datasheet
PCNアセンブリ/原産地 Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020
PCNパッケージング Packing Tube Design 19/Sep/2019
HTMLデータシート SIHG22N60EF Datasheet
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ EF
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 19A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 182ミリオーム @ 11A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 96nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1423pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) 179W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
ベース品番 SIHG22
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 500