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SIHB33N60E-GE3 Nチャンネル 600V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 D2PAK
価格と調達
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数量
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数量 単価 金額
1 689.00000 ¥689
10 618.80000 ¥6,188
25 584.96000 ¥14,624
100 467.93000 ¥46,793
250 441.94000 ¥110,485
500 415.94200 ¥207,971
1,000 356.15000 ¥356,150
2,500 350.95120 ¥877,378

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SIHB33N60E-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIHB33N60E-GE3-ND
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仕入先

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メーカー品番 SIHB33N60E-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 600V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 D2PAK

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ドキュメントとメディア
データシート SiHB33N60E
製品トレーニングモジュール High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
PCNアセンブリ/原産地 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ -
梱包形態 バルク 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 33A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 99ミリオーム @ 16.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 150nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3508pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 278W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1,000
その他の製品名/品番 SIHB33N60EGE3