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SIA975DJ-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 12V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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SIA975DJ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIA975DJ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SIA975DJ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2Pチャンネル(デュアル) 12V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SIA975DJ
PCN設計/仕様 SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
HTMLデータシート SIA975DJ
EDA/CADモデル SIA975DJ-T1-GE3 by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2Pチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 41ミリオーム @ 4.3A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 26nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1500pF @ 6V
電力 - 最大 7.8W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6デュアル
ベース品番 SIA975
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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