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SIA533EDJ-T1-GE3 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 12V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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1 69.00000 ¥69
10 59.30000 ¥593
25 55.32000 ¥1,383
100 41.10000 ¥4,110
250 39.04800 ¥9,762
500 32.09200 ¥16,046
1,000 26.08400 ¥26,084

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SIA533EDJ-T1-GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 42,000 - 即時
  • 単価: ¥24.50333

SIA533EDJ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SIA533EDJ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 12V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル

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ドキュメントとメディア
データシート SIA533EDJ
PCN設計/仕様 SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 420pF @ 6V
電力 - 最大 7.8W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6デュアル
ベース部品番号 SIA533
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SIA533EDJ-T1-GE3CT