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SIA519EDJ-T1-GE3 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 20V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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1 76.00000 ¥76
10 65.00000 ¥650
25 60.60000 ¥1,515
100 48.49000 ¥4,849
500 38.10400 ¥19,052
1,000 29.44300 ¥29,443

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SIA519EDJ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIA519EDJ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SIA519EDJ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 20V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SIA519EDJ
PCN設計/仕様 SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
HTMLデータシート SIA519EDJ
EDA/CADモデル SIA519EDJ-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 12nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 350pF @ 10V
電力 - 最大 7.8W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6デュアル
ベース品番 SIA519
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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