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SIA517DJ-T1-GE3 MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 12V 4.5A 6.5W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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数量
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数量 単価 金額
1 71.00000 ¥71
10 61.50000 ¥615
25 57.36000 ¥1,434
100 42.62000 ¥4,262
250 40.49200 ¥10,123
500 33.28000 ¥16,640
1,000 27.05000 ¥27,050

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SIA517DJ-T1-GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 9,000 - 即時
  • 単価: ¥25.41100

SIA517DJ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SIA517DJ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 12V 4.5A 6.5W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル

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ドキュメントとメディア
データシート SIA517DJ
PCN設計/仕様 SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 29ミリオーム @ 5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 15nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 500pF @ 6V
電力 - 最大 6.5W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6デュアル
ベース部品番号 SIA517
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN

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¥12.00000 詳細
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基準パッケージ 1
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