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SIA400EDJ-T1-GE3 Nチャンネル 30V 12A(Tc) 19.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル
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数量 単価 金額
1 71.00000 ¥71
10 60.60000 ¥606
25 56.60000 ¥1,415
100 42.04000 ¥4,204
250 39.93600 ¥9,984
500 32.82600 ¥16,413
1,000 26.68000 ¥26,680

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SIA400EDJ-T1-GE3TR-ND
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  • 単価: ¥24.33333

SIA400EDJ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SIA400EDJ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 12A(Tc) 19.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル

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ドキュメントとメディア
データシート SIA400EDJ-T1-GE3
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 12A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 19ミリオーム @ 11A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 36nC @ 10V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1265pF @ 15V
FET機能 -
消費電力(最大) 19.2W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6シングル
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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