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SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SO
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1 105.00000 ¥105
10 92.30000 ¥923
25 86.72000 ¥2,168
100 62.94000 ¥6,294
250 60.70400 ¥15,176
500 52.59400 ¥26,297
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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI9945BDY-T1-GE3TR-ND
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SI9945BDY-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI9945BDY-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SO

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ドキュメントとメディア
データシート SI9945BDY
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 5.3A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 58ミリオーム @ 4.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 665pF @ 15V
電力 - 最大 3.1W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース部品番号 SI9945
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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