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1 58.00000 ¥58
10 49.50000 ¥495
25 46.16000 ¥1,154
100 36.94000 ¥3,694
500 29.02000 ¥14,510
1,000 22.42600 ¥22,426

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  • テープ&リール(TR)  : SI8800EDB-T2-E1TR-ND
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SI8800EDB-T2-E1

データシート
Digi-Key品番 SI8800EDB-T2-E1CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI8800EDB-T2-E1
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
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商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 2A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 4-Microfoot

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI8800EDB
HTMLデータシート SI8800EDB
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 80ミリオーム @ 1A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.3nC @ 8V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ 4-Microfoot
パッケージ/ケース 4-XFBGA、CSPBGA
ベース品番 SI8800
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI8800EDB-T2-E1CT