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SI7232DN-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 25A 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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100 74.65000 ¥7,465
500 59.01400 ¥29,507
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SI7232DN-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI7232DN-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI7232DN-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 25A 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート SI7232DN
PCNアセンブリ/原産地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
HTMLデータシート SI7232DN
EDA/CADモデル SI7232DN-T1-GE3 by SnapEDA
SI7232DN-T1-GE3 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 25A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16.4ミリオーム @ 10A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 32nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1220pF @ 10V
電力 - 最大 23W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8デュアル
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8デュアル
ベース品番 SI7232
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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