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SI7157DP-T1-GE3 Pチャンネル 20V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
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1 169.00000 ¥169
10 151.50000 ¥1,515
25 143.76000 ¥3,594
100 107.83000 ¥10,783
250 106.80400 ¥26,701
500 91.40200 ¥45,701
1,000 74.45600 ¥74,456

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI7157DP-T1-GE3TR-ND
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SI7157DP-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI7157DP-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI7157DP-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 20V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8

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ドキュメントとメディア
データシート SI7157DP-T1-GE3
PCNアセンブリ/原産地 Multiple Devices 11/Dec/2015
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 60A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.6ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 625nC @ 10V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 22000pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 6.25W(Ta)、104W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
ベース品番 SI7157
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI7157DP-T1-GE3CT