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SI7155DP-T1-GE3 Pチャンネル 40V 31A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
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数量 単価 金額
1 231.00000 ¥231
10 207.40000 ¥2,074
25 195.64000 ¥4,891
100 152.61000 ¥15,261
250 148.68800 ¥37,172
500 129.12800 ¥64,564
1,000 109.56200 ¥109,562

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI7155DP-T1-GE3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥107.99667

SI7155DP-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI7155DP-T1-GE3CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 SI7155DP-T1-GE3
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商品概要 MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 40V 31A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8

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ドキュメントとメディア
データシート SI7155DP
ハイライト製品 P-Channel MOSFETs
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET® Gen III
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 31A(Ta)、100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.6ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 330nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 12900pF @ 20V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W(Ta)、104W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI7155DP-T1-GE3CT