JPY | USD
お気に入り

SI7114DN-T1-E3 Nチャンネル 30V 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8
価格と調達
2,676 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 176.00000 ¥176
10 157.20000 ¥1,572
25 149.16000 ¥3,729
100 111.88000 ¥11,188
250 110.80400 ¥27,701
500 94.82200 ¥47,411
1,000 77.24400 ¥77,244

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : SI7114DN-T1-E3TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥76.17833

SI7114DN-T1-E3

データシート
Digi-Key品番 SI7114DN-T1-E3CT-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 SI7114DN-T1-E3
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
コピー  
メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート Si7114DN
ビデオファイル MOSFET Technologies for Power Conversion
PCNアセンブリ/原産地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ TrenchFET®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 11.7A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 7.5ミリオーム @ 18.3A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 19nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
ベース部品番号 SI7114
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

ON Semiconductor

¥45.00000 詳細

BAT54HT1G

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

ON Semiconductor

¥23.00000 詳細

2N7002K-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Vishay Siliconix

¥25.00000 詳細

BQ40Z50RSMR-R2

IC BATTERY MANAGER 32VQFN

Texas Instruments

¥640.00000 詳細

MM3Z5V6C

DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323F

ON Semiconductor

¥23.00000 詳細

2N7002K-7

MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3

Diodes Incorporated

¥24.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI7114DN-T1-E3CT