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SI6926ADQ-T1-GE3 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 4.1A 830mW 面実装 8-TSSOP
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10 84.00000 ¥840
25 80.08000 ¥2,002
100 58.14000 ¥5,814
500 48.58000 ¥24,290
1,000 41.34500 ¥41,345

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他の梱包形態
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SI6926ADQ-T1-GE3

データシート
Digi-Key品番 SI6926ADQ-T1-GE3CT-ND
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仕入先

Vishay Siliconix

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メーカー品番 SI6926ADQ-T1-GE3
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商品概要 MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
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メーカーの標準リードタイム 19週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 4.1A 830mW 面実装 8-TSSOP

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート Si6926ADQ
HTMLデータシート Si6926ADQ
製品属性
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カテゴリ
仕入先 Vishay Siliconix
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 4.1A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 30ミリオーム @ 4.5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 10.5nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) -
電力 - 最大 830mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-TSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
ベース品番 SI6926
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 SI6926ADQ-T1-GE3CT